Декларация ЕАЭС N RU Д-DE.ГА05.В.08672/19

Реестр деклараций
8541290000
Транзистор n-канальный, МОП (MOSFET)

Содержание декларации ЕАЭС N RU Д-DE ГА05 В 08672/19

Продукт: транзистор n-канальный, моп (mosfet)

👉 Узнать больше об изготовителе: транзистор n-канальный, моп (mosfet)
👉 Производитель: страна, название, адрес производства
📗 Разрешения и протоколы, сертификаты, документация
👉 Орган выдавший декларацию ЕАЭС N RU Д-DE.ГА05.В.08672/19
🔖 Проверить наличие скана декларация соответствия в нашей базе
💰Стоимость на декларацию или сертификат
🔎 Поиск производителя
👉Похожие декларации о соответствии на текущую продукцию

Кто декларант?

Тип заявителя: Юридическое лицо

Тип декларанта: Уполномоченное изготовителем лицо

Основной государственный регистрационный номер юридического лица (ОГРН): 1023601542546

Идентификационный номер налогоплательщика (ИНН): 3665009866

Полное наименование юридического лица: АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "РИФ"

Сокращенное наименование юридического лица: АО "РИФ"

Организационно-правовая форма: Непубличные акционерные общества

Фамилия руководителя юридического лица: Иванов

Имя руководителя юридического лица: Александр

Отчество руководителя юридического лица: Сергеевич

Должность руководителя: генеральный директор

Адрес места нахождения: 397853, РОССИЯ, ОБЛАСТЬ ВОРОНЕЖСКАЯ, ОСТРОГОЖСКИЙ РАЙОН, ГОРОД ОСТРОГОЖСК, УЛИЦА КАРЛА МАРКСА, ДОМ 44-Г, ОФИС 2

Номер телефона: Телефон скрыта. Вы можете отправить запрос

Адрес электронной почты: Почта скрыта Вы можете отправить запрос

Наименование органа, зарегистрировавшего организацию в качестве юридического лиц: Межрайонная инспекция Федеральной налоговой службы № 12 по Воронежской области

Дата регистрации в качестве ЮЛ: 16.08.2007

Дата присвоения ОГРН: 14.10.2002

Код причины постановки на учет (КПП): 361901001

Является руководителем заявителя: Да

Фамилия лица, принявшего декларацию: Иванов

Имя лица, принявшего декларацию: Александр

Отчество лица, принявшего декларацию: Сергеевич

Должность лица, принявшего декларацию: генеральный директор

Производитель контакты

Совпадает с заявителем: Нет

Тип изготовителя: Иностранное лицо

Полное наименование: "Infineon Technologies AG"

Адрес места нахождения: ГЕРМАНИЯ, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg

Адрес производства продукции: Индонезия, Infineon Technologies Asia Pacific Pte. Ltd., 52-53 Senyan Kebayoran Baru, Jakarta Selatan, 12190

При печати выводить информацию в приложение: Да

Продукция и предоставленные документы

Общее наименование продукции: Транзистор n-канальный, МОП (MOSFET)

Общие условия хранения продукции: Условия и сроки хранения стандартные при нормальных значениях климатических факторов внешней среды. Срок службы (годности) указан в эксплуатационной документации. Обозначения и наименования стандартов, включенных в перечни стандартов, в результате применения которых на добровольной основе обеспечивается соблюдение требований ТР ТС 004/2011 "О безопасности низковольтного оборудования": ГОСТ 12.2.007.0-75 "Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности"

Происхождение продукции: ГЕРМАНИЯ

Код ТН ВЭД ЕАЭС: 8541290000 - - прочие

Наименование (обозначение) продукции: Транзистор n-канальный, МОП (MOSFET)

Артикул: тип IRF540N

Наименование документа: Продукция изготовлена в соответствии с директивой 2014/35/EU

Кем осуществлялась сертификация?

Номер записи в РАЛ органа по сертификации: РОСС RU.0001.11ГА05

Полное наименование органа по сертификации: Орган по сертификации продукции Общество с ограниченной ответственностью "ПРИОРИТЕТ"

Дата внесения в реестр сведений об аккредитованном лице: 23.10.2014

ОГРН/ОГРНИП аккредитованного лица: 5137746007493

Адрес места осуществления деятельности: 111123, РОССИЯ, город Москва, шоссе Энтузиастов, д. 31, стр. 38, этаж 3, пом. 1, комн. 24 (часть), офис 18

Адрес места нахождения/Адрес места жительства: 111123, РОССИЯ, ГОРОД МОСКВА, ШОССЕ ЭНТУЗИАСТОВ, ДОМ 31, СТРОЕНИЕ 38, ЭТ 3 ПОМ I К 24(ЧАСТЬ) О 18

Наименование органа по аккредитции, выдавшего аттестат аккредитации: Федеральная служба по аккредитации

Номер телефона: Телефон скрыта. Вы можете отправить запрос

Адрес электронной почты: Почта скрыта Вы можете отправить запрос

Адрес сайта в сети Интернет: www.prioritet-c.ru

Фамилия руководителя: Камко

Имя руководителя: Анна

Отчество руководителя: Александровна

Испытания продукции: Испытания проводились в иной лаборатории

Наименование испытательной лаборатории: Испытательная лаборатория Общества с ограниченной ответственностью "Лаборатория", сертификат о признании компетентности испытательной лаборатории РОССRU.31218.ИЛ.00010 от 09.04.2019

Адрес места осуществления деятельности производственной лаборатории: 443011, Российская Федерация, Самарская обл, г Самара, ул Радиальная 8-я, дом 6

Информация о документе

Статус декларации: Действует

Регистрационный номер декларации о соответствии: ЕАЭС N RU Д-DE.ГА05.В.08672/19

Свободное распространение продукции не ограничено законодательством РФ: Да

Дата регистрации декларации: 22.10.2019

Дата окончания действия декларации о соответствии: 21.10.2022

Фамилия лица, подписавшего декларацию: Камко

Имя лица, подписавшего декларацию: Анна

Отчество лица, подписавшего декларацию: Александровна

Тип декларации: Декларация о соответствии требованиям технического регламента Евразийского экономического союза (технического регламента Таможенного союза)

Технические регламенты: ТР ТС 004/2011 О безопасности низковольтного оборудования

Группа продукции ЕАЭС: Низковольтное оборудование, не включенное в Перечень продукции, подлежащей сертификации к ТР ТС 004/2011

Схема декларирования: 1д

Тип объекта декларирования: Серийный выпуск

Получить консультацию от эксперта

Бесплатная консультация от эксперта Кизьяков Анатолий Петрович, старший специалист органа по сертификации Получить консультацию

Экcпорт транзистор из России

Компания осуществляющие экспорт транзистор из России, включая, таможенные платежи, логистику до Азии, Европы, США - ЭкспортВ

Проверить наличие скан копии для декларации ЕАЭС N RU Д-DE.ГА05.В.08672/19

Запустить проверку проверка. Примерно время проверки 2 минуты

Подбор поставщика: логистика и таможня

Гришина Ольга БЮРОИМПОРТА

👉 https://buroimporta.ru

Осуществляют таможню и логистику под "ключ". Ввоз под свой контаркт

Ирина ИМПОРТР

👉 https://import-v-rossiu.ru

Самая дешевая логистика и таможня

Воронцов Сергей Б2Б ПОСТАВКИ

👉 https://b2b-postavki.ru

Поиск поставщиков для покупки и продажи товаров импорт/экспорт

ИРИНА КОДТНВЭД.РУ

👉 https://kodtnved.ru

Полная база по подбору Кода ТН ВЭД

Цены на декларацию соответствия ТР ТС

Обычный

бесплатно

Консультация по необходимым документам

Популярная

Импортная

7.000 ₽ документ

Декларация соответствия
Скан
Курьерские услуги
Гарантии

Производитель

12.000 ₽

Декларация
Протокол испытаний
Курьер
Скан

Отзывы об изготовлении декларации соответствия ТР ТС

Анна Герман Технолог ООО "Повидло России"

Мы заказывали на нашу продукцию декларацию сроком на 5 лет. Сделали очень быстро. Остались довольные результатом

Михаил Терехов ООО "Русимпорт"

Ввозим для наших клиентов оборудование из Китая. Для нас главное чтобы быстро делали документы. Все супер

Алексей Ершов Производитель КПП

Мы занимаемся производством кабелей и проводников. Нам постоянно требуется декларации и сертификаты. Довольный результатом.

Маша Вершагина производство товаров для новорожденных

Не возможно заниматься продажами без документов для детской продукции за этим особенно следят. Все протоколы испытаний и декларации получили вовремя. Остались довольны сотрудничеством

Продукция Номер декларации	Код ТН ВЭД
Силовой транзистор N-канальный ТС N RU Д-US.АГ73.А.24661	8541290000
Полевые транзисторы (N-канальный FREDFET транзисторы), (напряжение 500В, 1000В), торговой марки MICROSEMI, модели: APT34F100B2, APT37F50B. (продукция изготовлена в соответствии с директивами № 2004/108/CE " Электромагнит ЕАЭС N RU Д-US.АВ49.В.06555	8541290000
Транзисторы, MOSFET транзисторы, транзисторы Дарлингтона, биполярные транзисторы, полевые транзисторы, симисторы, тиристоры, диоды, диоды Шотки, диоды TVS, диоды Зенера, диодные мосты, оптроны, диоды выпрямительные, диоды ЕАЭС N RU Д-TW.ПД84.В.27220	8532290000
Транзистор n-канальный, МОП (MOSFET) ЕАЭС N RU Д-DE.ГА05.В.08672/19	8541290000
ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ, ЕАЭС N RU Д-CH.АЖ49.В.15549/20	8541290000
Транзистор N-канальный, ЕАЭС N RU Д-DE.НВ54.В.02639/20	8541290000
Транзистор N-канальный, ЕАЭС N RU Д-DE.НВ54.В.02642/20	8541290000
Транзистор N-канальный, ЕАЭС N RU Д-US.НВ54.В.02643/20	8541290000
Транзистор N-канальный ЕАЭС N RU Д-DE.РА01.В.20094/21	74916